控制側(cè)：TTL / 光纖信號輸入，光電隔離，抗干擾能力較強(qiáng)，時序控制精準(zhǔn)
功率側(cè)：多芯片串聯(lián)均壓、并聯(lián)均流，實現(xiàn)高耐壓與大電流輸出
保護(hù)與驅(qū)動：獨立柵極驅(qū)動、過流 / 過壓 / 過熱保護(hù)及故障反饋，保證全工況穩(wěn)定運行
上升時間低至0.8 ns
導(dǎo)通延遲＜10 ns，抖動100–500 ps
連續(xù)工作頻率高3 MHz，突發(fā)頻率可達(dá)10 MHz
滿足激光調(diào)制、脈沖功率、粒子加速等對時序精度的較高要求。
工作電壓：500 V–200 kV
峰值電流：15 A–16,000 A
di/dt 高32 kA/μs
電氣隔離高200 kVDC
可適配阻性、容性、感性負(fù)載，滿足高沖擊、高陡度脈沖工況。
無機(jī)械磨損，開關(guān)壽命達(dá)億次級
工作溫度：-40℃~+70℃（部分型號至 85℃）
支持自然冷卻、風(fēng)冷、液冷，適配高功率密度應(yīng)用
典型 MTBF＞10000 小時，提供5 年質(zhì)保
TTL / 光纖觸發(fā)，可直接對接 PLC、DCS、FPGA
支持固定 / 可變導(dǎo)通時間，AC/DC 雙向切換
半橋 / 全橋推挽拓?fù)?，無需外接工作電阻
內(nèi)置 EMC 濾波，電磁干擾較低，系統(tǒng)集成簡便
| 系列 | 核心器件 | 電壓范圍 | 典型優(yōu)勢 | 適用場景 |
|---|---|---|---|---|
| HTS | 高壓 MOSFET/IGBT | 1–20 kV | 快沿、低抖動、高頻 | 激光、普克爾盒、質(zhì)譜、科研脈沖 |
| SCR | 高壓晶閘管 | 1–150 kV | 大電流、高 di/dt、性價比高 | 工業(yè)脈沖、等離子體、Crowbar 保護(hù) |
| SiC | 碳化硅 FET | 1–10 kV | 低損耗、耐高溫、高效率 | 新能源、航空航天、高頻脈沖電源 |
| GHTS/FHPP | 集成脈沖單元 | 1–80 kV | 開關(guān) + 脈沖源一體化 | 醫(yī)療成像、無損檢測、EMC 測試 |
激光與光電技術(shù)
作為 Q 開關(guān)、普克爾盒驅(qū)動、脈沖整形單元，輸出納秒級高壓脈沖，有助于提升固體 / 光纖激光器的光束質(zhì)量與重頻穩(wěn)定性。
科學(xué)研究
為粒子加速器、脈沖功率裝置、等離子體實驗、TOF 質(zhì)譜提供高精度時序與高穩(wěn)定脈沖輸出。
工業(yè)與新能源
用于電力耐壓 / 雷電沖擊測試、儲能系統(tǒng)高壓故障隔離、光伏逆變器保護(hù)、半導(dǎo)體離子注入、材料改性等。
特種裝備
適配雷達(dá)調(diào)制器、高功率微波源、航空航天點火與觸發(fā)系統(tǒng)，滿足惡劣環(huán)境與高可靠要求。
額定電壓：按系統(tǒng)峰值電壓1.5 倍以上預(yù)留裕量
峰值電流與 di/dt：根據(jù)負(fù)載特性與脈沖陡度匹配
開關(guān)速度：快沿優(yōu)先 MOS/SiC 系列；大電流場景選 SCR 系列
控制方式：固定 / 可變導(dǎo)通時間、TTL / 光纖、單端 / 推挽按需選擇
冷卻與安裝：高功率密度優(yōu)先液冷；空間受限選用緊湊型模塊
SiC 寬禁帶半導(dǎo)體規(guī)?；瘧?yīng)用，降低損耗，提升工作溫度
內(nèi)置數(shù)字控制與狀態(tài)監(jiān)測，實現(xiàn)溫度、電流、電壓實時監(jiān)控與遠(yuǎn)程診斷
模塊化堆疊設(shè)計，可擴(kuò)展至百千伏 / 萬安級系統(tǒng)
優(yōu)化結(jié)構(gòu)布局與屏蔽，降低電磁輻射，適配高精度電子設(shè)備環(huán)境
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